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dc.contributor.advisorPoma Torres, Máximo
dc.contributor.authorCabrera Arista, César
dc.date.accessioned2019-09-03T16:22:25Z
dc.date.available2019-09-03T16:22:25Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationCabrera, C. (2019). Cálculo de la estructura electrónica y de la energía total de los sistemas cristalinos de: germanio (Ge), galio-fósforo (GaP) y silicio-carbón (SiC). Tesis para optar grado de Magíster en Física con mención en Física del Estado Sólido. Unidad de Posgrado, Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Lima, Perú.es_PE
dc.identifier.urihttp://cybertesis.unmsm.edu.pe/handle/cybertesis/10748
dc.description.abstractMuestra un estudio teórico de la estructura electrónica y de la energía total del estado fundamental de Germanio (Ge) y de los compuestos binarios de Galio-Fósforo (GaP) y de Silicio-Carbón (SiC). Las bandas de energía y la densidad de estados se calcularon con el método LMTO [23] que resuelve la ecuación de Schrödinger de un electrón en el sólido usando un potencial efectivo formulado con la DFT [15] y aproximación LDA [17]. Potencial que contiene toda la información de la red cristalina y que además depende del parámetro que permite transferir a las zonas vacías de la red cristalina una pequeña parte de la carga electrónica que reside fuera de las esferas atómicas. La mejor estructura electrónica de los compuestos de GaP y SiC con su correspondiente energía total mínima fue calculada con la idea alternativa de una red cristalina llena de esferas atómicas de tamaño diferente preservando la densidad del material y la simetría de la red. Los resultados para la estructura de las bandas de energía y la DOS obtenidas con presentan una brecha de energía prohibida indirecta (gap) entre el tope de la banda de valencia y el fondo de la banda de conducción que es de 0.174 Ry ó 2.372 eV para el GaP; y de 0.176 Ry ó 2.394 eV para el SiC. La energía asociada a estos resultados es mínima, de -18.67 Ry para GaP y de -20.43 Ry para SiC.es_PE
dc.description.uriTesises_PE
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional Mayor de San Marcoses_PE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/es_PE
dc.sourceUniversidad Nacional Mayor de San Marcoses_PE
dc.sourceRepositorio de Tesis - UNMSMes_PE
dc.subjectCristalizaciónes_PE
dc.titleCálculo de la estructura electrónica y de la energía total de los sistemas cristalinos de: germanio (Ge), galio-fósforo (GaP) y silicio-carbón (SiC)es_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises_PE
thesis.degree.nameMagíster en Física con mención en Física del Estado Sólidoes_PE
thesis.degree.grantorUniversidad Nacional Mayor de San Marcos. Facultad de Ciencias Físicas. Unidad de Posgradoes_PE
thesis.degree.levelMaestriaes_PE
thesis.degree.disciplineFísica con mención en Física del Estado Sólidoes_PE
dc.subject.ocdeFísica Atómica, Molecular y Química  es_PE


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